[新聞] 中國記憶體技術死穴浮現?韓媒曝長鑫存儲
原文標題:中國記憶體技術死穴浮現?韓媒曝長鑫存儲「HBM超慘烈良率」:4顆壞3顆
原文連結:https://www.storm.mg/article/11163217
發布時間:2026-09-09 19:51
記者署名:張大任
原文內容:
AI導致全球爆發記憶體極端需求,供不應求導致價格瘋漲,而除了三星、SK海力士與美光
等龍頭大廠,中國記憶體製造商長鑫存儲也意圖趁勢崛起。不過根據韓媒最新報導指出,
長鑫存儲在高頻寬記憶體(HBM)遇到嚴重良率問題,僅僅只有25%,「4顆就有3顆是瑕疵
品」,與韓廠仍有約4到5年的技術差距。
科技媒體《Wccftech》引述此報導並表示,HBM遠比傳統DRAM更為複雜,因此製造難度也
大幅提高,而長鑫近年來能夠在全球記憶體市場崛起,主要原因在於三星、SK海力士、美
光將產能集中在HBM,長鑫則透過持續供應傳統DRAM,填補市場需求。
韓媒《朝鮮日報》指出,長鑫存儲已開始試產第四代高頻寬記憶體HBM3,但初期良率始終
無法提升,據了解,目前良率停留在約25%,僅達到半導體業界量產標準「黃金良率」(
Golden Yield)80%的3分之1左右。
SK海力士良率逾90% 為何長鑫存儲這麼低?
報導提到,相比之下,SK海力士自2022年開始量產同類產品,目前良率已超過90%,雙方
差距相當明顯。業界普遍認為,造成差距的根本原因在於長鑫的TSV(Through Silicon
Via,矽穿孔)技術成熟度不足,而TSV正是將多層DRAM堆疊成HBM的核心製程。
根據熟悉長鑫存儲情況的半導體設備業高層人士透露,截至9日,長鑫的8層堆疊(8-Hi)
HBM3在前段製程的良率僅約30%;而通過前段製程的產品,還得完成後段封裝製程,又只
有約70%能成為最終合格品。
報導指出,換句話說,如果開始生產100顆HBM3,最終將有接近80顆遭到淘汰。據悉,長
鑫存儲正將少量成功製造出的HBM樣品供應給中國企業,例如阿里巴巴、寒武紀等公司,
同時持續改善製程與良率。
中國廠最大技術差距難關 半導體業界:並非短時間能追上
報導提到,值得注意的是,長鑫存儲的問題並不在於DRAM本身的製程能力,半導體設備業
人士表示,「長鑫採用於HBM的G4(約17奈米級)製程,其生產一般DRAM並沒有太大問題
,但HBM規格要求更嚴格,因此就算使用相同製程,要達到合格標準也困難得多。」
報導表示,TSV是HBM的核心技術,同時難度極高,業界普遍認為,長鑫存儲與領先廠商最
大的技術落差就在TSV。半導體業人士表示「TSV製程必須累積多年晶圓加工經驗,才能逐
漸穩定,中國企業在DRAM製程方面,確實快速縮小了與國際大廠的差距,但後段製程所需
的經驗,並非短時間內就能追上的。」
心得/評論:
中國長鑫的HBM良率慘烈!!!
只有25%左右
四顆就有三顆是瑕疵品
且這技術差距非短時間能夠追上
三星海力士等記憶體大廠仍有相當的護城河,有投資韓股的網友可繼續持有
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