[新聞] 長鑫科技新突破！年底推4F2 架構DDR5伺服
長鑫科技新突破！年底推4F2 架構DDR5伺服器記憶體
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鉅亨網編譯莊閔棻2026-10-12 10:10
中國記憶體製造商長鑫存儲加速布局伺服器記憶體市場，並將推出新一代DRAM架構。長鑫
科技(688825-CN) 核心子公司長鑫存儲總裁曹堪宇週六（10日）表示，公司預計年底推出
採用4F2 架構的新一代DDR5 RDIMM產品，透過縮小記憶體單元面積、提高儲存密度，突破
現有DRAM製程瓶頸。
根據陸媒報導，曹堪宇在第四屆集成芯片和芯粒大會上介紹，4F2 架構的一項關鍵創新，
是採用垂直環繞閘極（VSG）電晶體結構，藉由改善閘極控制能力，降低漏電與短通道效
應，同時利用垂直配置縮小電晶體占用面積，進一步提高記憶體儲存密度。
DRAM產業正持續追求更高的儲存密度，目前主流架構為6F2 ，其中F代表製程中的最小特
徵尺寸。相較之下，4F2 架構可將單一記憶體儲存單元的面積縮小，有助於在相同面積內
配置更多儲存單元，提升晶片容量。
從6F2 轉向4F2 ，不只是縮小電晶體，更涉及整體製程架構的調整。 早期的4F2 設計主
要著重於2D電晶體布局，記憶體陣列與周邊邏輯電路必須共用微影及摻雜製程條件，限制
了效能表現，未能超越6F2 架構。
隨著6F2 架構持續微縮的難度提高，業界開始推動4F2 朝3D架構發展，透過將DRAM與CMOS
製程分離，並採用晶圓級混合鍵合技術實現高速互連，讓邏輯電路效能與記憶體單元密度
得以分別最佳化，降低既有製程限制。
曹堪宇並透露，長鑫存儲在4F2 架構相關技術上的公開專利族已超過300件，數量居業界
領先地位。
長鑫存儲此次選擇DDR5 RDIMM作為4F2 架構的首代產品，也反映公司正積極拓展伺服器記
憶體市場。
過去，海外記憶體廠商在伺服器市場占據優勢，長鑫存儲的下游應用則較偏重消費性電子
產品。相較於消費級記憶體著重運算速度，伺服器記憶體還必須滿足長時間、不間斷運作
的需求，技術與工程門檻相對較高。
長鑫科技總經理趙綸9月在業績說明會上表示，公司上半年持續拓展伺服器領域業務，相
關產品的營收貢獻已經增加。
隨著4F2 架構產品預計年底問世，長鑫存儲將進一步把新技術導入伺服器記憶體領域，嘗
試突破既有市場格局。
除了4F2 架構，長鑫科技近期也持續更新DRAM技術布局。
長鑫科技8月底宣布，最新一代低功耗記憶體LPDDR6已進入量產，成為業界較早量產
LPDDR6的廠商之一。
9月，長鑫存儲又在世界製造業大會上宣布，第五代DRAM技術平台（G5）實現量產，製程
水準已接近全球頂尖的記憶體量產平台。
根據市場研究機構Counterpoint數據，以全球DRAM廠商營收計算，長鑫科技2026年第二季
市占率為7%，排名全球第四。
心得/評論：
要把記憶體價格打下去果然還是要靠大陸才行
拜託麻煩產能開到最大 不然記憶體真的好貴
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