[新聞] 馬斯克談大陸記憶體:追趕很快 量產能力
馬斯克談大陸記憶體:追趕很快 量產能力不容小覷
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2026/10/13 14:35:42
聯合報 記者林宸誼/即時報導
特斯拉執行長馬斯克認為,大陸一旦掌握某項產品的製造技術,擴大量產的能力往往超過
其他國家總和,鋰電池及太陽能就是典型案例。他警告,記憶體(RAM)可能成為下一個
面臨中國大規模量產競爭的產業,但高頻寬記憶體(HBM)及先進3D堆疊技術仍存在較高
門檻。
華爾街見聞報導,馬斯克12日在社交平台X發文,並以SpaceX為參照,指出SpaceX是少數
例外之一,入軌品質大約比世界其他所有運載火箭加起來高出一個數量級。但他隨即補充
,即使如此,大陸目前已佔據非SpaceX入軌品質的大部分市占,「SpaceX是矩陣中的異常
值」。
在記憶體領域,馬斯克的判斷更為直接。他表示,記憶體約三年前仍是低毛利的標準化商
品,而LPDDR5及LPDDR6採用共同規格,大陸似乎正快速掌握相關技術。他同時指出,更新
一代的HBM架構、邏輯層下方的SRAM層(靜態隨機存取記憶體),以及在邏輯層上方進行
3D堆疊RAM同時解決散熱問題,將是更難攻克的技術挑戰。
馬斯克的表態並非憑空而來。長鑫存儲總裁曹堪宇10日在行業活動上宣布,公司在下一代
4F2 存儲單元架構上取得關鍵進展,並計畫於2026年底前推出基於該架構的DDR5伺服器記
憶體產品。
4F2 架構的核心優勢在於存儲單元面積更小。傳統DRAM常見的6F2 架構中,F代表工藝最
小線寬,而4F2 設計理論上可在單位面積內容納約多三分之一的比特數,從而降低單位成
本,並更適合用於AI伺服器所需的大容量記憶體條。
曹堪宇表示,該設計採用專有的垂直環繞柵極電晶體以抑制漏電,直接指向高毛利的AI伺
服器DRAM市場。
這一消息令市場對大陸廠商加速滲透高階記憶體市場的擔憂驟然升溫,成為週12日晶片股
集體下挫的直接導火線。科技股成為12日美股表現最差的類股,記憶體晶片相關個股首當
其衝。美光跌破1000美元關口,最終收跌約4%;晟碟收跌近6%;SK海力士ADR與超微電腦
均跌超4%;希捷科技跌超3%;昆騰跌超9%;康寧亦大幅下挫。
市場的拋售邏輯清晰,若大陸廠商能夠以更低成本、更大規模切入先前由美韓企業主導的
高階記憶體市場,相關企業的利潤空間將面臨實質性壓縮。馬斯克的公開表態,在一定程
度上強化了投資者對這一競爭格局演變的預期。
心得/評論:
那些年的紅海產業
面板 塑化 電動車 鋰電池 太陽能 現在記憶體也要步上後塵了?
尤其現在毛利這麼高 就算良率低也不怕 不會虧本
還能用力量產練手 把學習曲線拉高
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